2SJ665-DL-1EX Datenblatt
Technische Daten für 2SJ665-DL-1EX
Artikelnummer : 2SJ665-DL-1EX
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 100V 27A TO263
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 27A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 77 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 65W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263-2
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 27A TO263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
47658 Stücke
Referenzpreis
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