2SJ665-DL-1EX - MOSFET P-CH 100V 27A TO263

Hersteller Teilenummer

2SJ665-DL-1EX

Interne Teilenummer

AX-2SJ665-DL-1EX

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 100V 27A TO263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

47658 Pieces

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Technische Daten für 2SJ665-DL-1EX

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2SJ665-DL-1EX

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 100V 27A TO263

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 27A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 77 mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 20V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 65W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263-2

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für 2SJ665-DL-1EX

Datenblätter : 2SJ665-DL-1EX.pdf

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