2SJ668(TE16L1,NQ) Datenblatt
Technische Daten für 2SJ668(TE16L1,NQ)
Artikelnummer : 2SJ668(TE16L1,NQ)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
Serie : U-MOSIII
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 20W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PW-MOLD
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
50694 Stücke
Referenzpreis
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