2SJ668(TE16L1,NQ) - MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

Hersteller Teilenummer

2SJ668(TE16L1,NQ)

Interne Teilenummer

AX-2SJ668(TE16L1,NQ)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

50694 Pieces

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Technische Daten für 2SJ668(TE16L1,NQ)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2SJ668(TE16L1,NQ)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

Serie : U-MOSIII

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 20W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PW-MOLD

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für 2SJ668(TE16L1,NQ)

Datenblätter : 2SJ668(TE16L1,NQ).pdf

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