2SK2009TE85LF Datenblatt
Technische Daten für 2SK2009TE85LF
Artikelnummer : 2SK2009TE85LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 50MA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 70pF @ 3V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 200mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SC-59-3
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2493235 Stücke
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