2SK2009TE85LF - MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Hersteller Teilenummer

2SK2009TE85LF

Interne Teilenummer

AX-2SK2009TE85LF

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

2493235 Pieces

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Technische Daten für 2SK2009TE85LF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2SK2009TE85LF

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 50MA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 70pF @ 3V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 200mW (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SC-59-3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für 2SK2009TE85LF

Datenblätter : 2SK2009TE85LF.pdf

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