2SK879-Y(TE85L,F) Datenblatt
Technische Daten für 2SK879-Y(TE85L,F)
Artikelnummer : 2SK879-Y(TE85L,F)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : JFET N-CH 0.1W USM
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) : -
Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 1.2mA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max : -
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id : 400mV @ 100nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8.2pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein) : -
Leistung max : 100mW
Betriebstemperatur : 125°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-70, SOT-323
Supplier Device Package : USM
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
JFET N-CH 0.1W USM
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3315180 Stücke
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