2SK879-Y(TE85L,F) - JFET N-CH 0.1W USM
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
JFET N-CH 0.1W USM
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3315180 Pieces
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Technische Daten für 2SK879-Y(TE85L,F)
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
2SK879-Y(TE85L,F)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
JFET N-CH 0.1W USM
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) :
-
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
-
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) :
1.2mA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max :
-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id :
400mV @ 100nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8.2pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein) :
-
Leistung max :
100mW
Betriebstemperatur :
125°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package :
USM
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für 2SK879-Y(TE85L,F)
Datenblätter :
2SK879-Y(TE85L,F).pdf
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