APTSM120AM14CD3AG Datenblatt
Technische Daten für APTSM120AM14CD3AG
Artikelnummer : APTSM120AM14CD3AG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MODULE - SIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 9mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1224nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 23000pF @ 1000V
Leistung max : 2140W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
POWER MODULE - SIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9135 Stücke
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