APTSM120AM14CD3AG - POWER MODULE - SIC
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
POWER MODULE - SIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9135 Pieces
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Technische Daten für APTSM120AM14CD3AG
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
APTSM120AM14CD3AG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
POWER MODULE - SIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 9mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1224nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
23000pF @ 1000V
Leistung max :
2140W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für APTSM120AM14CD3AG
Datenblätter :
APTSM120AM14CD3AG.pdf
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