BSZ12DN20NS3GATMA1 Datenblatt
Technische Daten für BSZ12DN20NS3GATMA1
Artikelnummer : BSZ12DN20NS3GATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 50W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TSDSON-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
895295 Stücke
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