BSZ12DN20NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Hersteller Teilenummer

BSZ12DN20NS3GATMA1

Interne Teilenummer

AX-BSZ12DN20NS3GATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für BSZ12DN20NS3GATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSZ12DN20NS3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 25µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 50W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TSDSON-8

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSZ12D , BSZ12DN20

Dokumente für BSZ12DN20NS3GATMA1

Datenblätter : BSZ12DN20NS3GATMA1.pdf

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