ECH8601M-TL-H-P Datenblatt
Technische Daten für ECH8601M-TL-H-P
Artikelnummer : ECH8601M-TL-H-P
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 24V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : -
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package : 8-ECH
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
28903 Stücke
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