ECH8601M-TL-H-P - MOSFET 2N-CH

Hersteller Teilenummer

ECH8601M-TL-H-P

Interne Teilenummer

AX-ECH8601M-TL-H-P

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

28903 Pieces

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Technische Daten für ECH8601M-TL-H-P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ECH8601M-TL-H-P

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET 2N-CH

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion : Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 24V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : -

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead

Supplier Device Package : 8-ECH

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : ECH86 , ECH8601

Dokumente für ECH8601M-TL-H-P

Datenblätter : ECH8601M-TL-H-P.pdf

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