EFC6601R-A-TR Datenblatt
Technische Daten für EFC6601R-A-TR
Artikelnummer : EFC6601R-A-TR
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH EFCP
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-XFBGA, FCBGA
Supplier Device Package : EFCP2718-6CE-020
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH EFCP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
28462 Stücke
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