EFC6601R-A-TR - MOSFET 2N-CH EFCP
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH EFCP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
28462 Pieces
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Technische Daten für EFC6601R-A-TR
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
EFC6601R-A-TR
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH EFCP
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-XFBGA, FCBGA
Supplier Device Package :
EFCP2718-6CE-020
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für EFC6601R-A-TR
Datenblätter :
EFC6601R-A-TR.pdf
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