ES6U3T2CR Datenblatt
Technische Daten für ES6U3T2CR
Artikelnummer : ES6U3T2CR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 70pF @ 10V
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-WEMT
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-ES6U3T2CR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2388795 Stücke
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