ES6U3T2CR - MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Hersteller Teilenummer

ES6U3T2CR

Interne Teilenummer

AX-ES6U3T2CR

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

2388795 Pieces

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Technische Daten für ES6U3T2CR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ES6U3T2CR

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 70pF @ 10V

FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-WEMT

Paket / fall : SOT-563, SOT-666

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : ES6U3T2CR.pdf

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