HGTD3N60C3S9A Datenblatt
Technische Daten für HGTD3N60C3S9A
Artikelnummer : HGTD3N60C3S9A
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 600V 6A 33W TO252AA
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
IGBT-Typ : -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 24A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 3A
Leistung max : 33W
Energie wechseln : 85µJ (on), 245µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 10.8nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : -
Testbedingung : 480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : TO-252AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
55992 Stücke
Referenzpreis
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