HGTD3N60C3S9A - IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Hersteller Teilenummer

HGTD3N60C3S9A

Interne Teilenummer

AX-HGTD3N60C3S9A

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

IGBT 600V 6A 33W TO252AA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

55992 Pieces

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Technische Daten für HGTD3N60C3S9A

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : HGTD3N60C3S9A

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

IGBT-Typ : -

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 24A

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 3A

Leistung max : 33W

Energie wechseln : 85µJ (on), 245µJ (off)

Eingabetyp : Standard

Gate Charge : 10.8nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C : -

Testbedingung : 480V, 3A, 82 Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr) : -

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Supplier Device Package : TO-252AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : HGTD , HGTD3N

Dokumente für HGTD3N60C3S9A

Datenblätter : HGTD3N60C3S9A.pdf

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