IPD30N06S4L23ATMA2 Datenblatt
Technische Daten für IPD30N06S4L23ATMA2
Artikelnummer : IPD30N06S4L23ATMA2
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1560pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 36W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3-11
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1527725 Stücke
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