IPD30N06S4L23ATMA2 - MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Hersteller Teilenummer

IPD30N06S4L23ATMA2

Interne Teilenummer

AX-IPD30N06S4L23ATMA2

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1527725 Pieces

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Technische Daten für IPD30N06S4L23ATMA2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPD30N06S4L23ATMA2

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 10µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1560pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 36W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TO252-3-11

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPD30N , IPD30N06S

Dokumente für IPD30N06S4L23ATMA2

Datenblätter : IPD30N06S4L23ATMA2.pdf

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