IRL60S216 Datenblatt
Technische Daten für IRL60S216
Artikelnummer : IRL60S216
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 195A
Serie : HEXFET®, StrongIRFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 195A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 255nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 15330pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRL60S216
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 195A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
112275 Stücke
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