IRL60S216 - MOSFET N-CH 60V 195A

Hersteller Teilenummer

IRL60S216

Interne Teilenummer

AX-IRL60S216

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 195A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

112275 Pieces

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Technische Daten für IRL60S216

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRL60S216

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 195A

Serie : HEXFET®, StrongIRFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 195A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.95 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 255nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 15330pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D2PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IRL60S216.pdf

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