PHT2NQ10T,135 Datenblatt
Technische Daten für PHT2NQ10T,135
Artikelnummer : PHT2NQ10T,135
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 160pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-223
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
24332 Stücke
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