PHT2NQ10T,135 - MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für PHT2NQ10T,135
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
PHT2NQ10T,135
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
430 mOhm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
160pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
6.25W (Tc)
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-223
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für PHT2NQ10T,135
Datenblätter :
PHT2NQ10T,135.pdf
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