PMDT670UPE,115 Datenblatt
Technische Daten für PMDT670UPE,115
Artikelnummer : PMDT670UPE,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 550mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.14nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 87pF @ 10V
Leistung max : 330mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package : SOT-666
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4455945 Stücke
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