PMDT670UPE,115 - MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für PMDT670UPE,115
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
PMDT670UPE,115
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
550mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.14nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
87pF @ 10V
Leistung max :
330mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package :
SOT-666
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für PMDT670UPE,115
Datenblätter :
PMDT670UPE,115.pdf
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