RJP020N06T100 Datenblatt
Technische Daten für RJP020N06T100
Artikelnummer : RJP020N06T100
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 160pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : MPT3
Paket / fall : TO-243AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1287460 Stücke
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