RJP020N06T100 - MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1287460 Pieces
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Technische Daten für RJP020N06T100
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
RJP020N06T100
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
160pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
MPT3
Paket / fall :
TO-243AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für RJP020N06T100
Datenblätter :
RJP020N06T100.pdf
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