SCTH90N65G2V-7 Datenblatt
Technische Daten für SCTH90N65G2V-7
Artikelnummer : SCTH90N65G2V-7
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 157nC @ 18V
Vgs (Max) : +22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3300pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 330W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : H2PAK-7
Paket / fall : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
15864 Stücke
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