SCTH90N65G2V-7 - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Hersteller Teilenummer

SCTH90N65G2V-7

Interne Teilenummer

AX-SCTH90N65G2V-7

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

15864 Pieces

Referenzpreis

~~USD 28.2846~~

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Technische Daten für SCTH90N65G2V-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SCTH90N65G2V-7

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 50A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 157nC @ 18V

Vgs (Max) : +22V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3300pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 330W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : H2PAK-7

Paket / fall : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SCTH , SCTH90N

Dokumente für SCTH90N65G2V-7

Datenblätter : SCTH90N65G2V-7.pdf

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