SI1926DL-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SI1926DL-T1-GE3
Artikelnummer : SI1926DL-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 18.5pF @ 30V
Leistung max : 510mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-70-6 (SOT-363)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2878465 Stücke
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