SI1926DL-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

Hersteller Teilenummer

SI1926DL-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SI1926DL-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für SI1926DL-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI1926DL-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 370mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 340mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 18.5pF @ 30V

Leistung max : 510mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Supplier Device Package : SC-70-6 (SOT-363)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : SI1926DL-T1-GE3.pdf

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