SIA850DJ-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SIA850DJ-T1-GE3
Artikelnummer : SIA850DJ-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
Serie : LITTLE FOOT®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 190V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 950mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 90pF @ 100V
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : 1.9W (Ta), 7W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
15832 Stücke
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