SIA850DJ-T1-GE3 - MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SIA850DJ-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SIA850DJ-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
Serie :
LITTLE FOOT®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
190V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
950mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
90pF @ 100V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
1.9W (Ta), 7W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket / fall :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SIA850DJ-T1-GE3
Datenblätter :
SIA850DJ-T1-GE3.pdf
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