SIA850DJ-T1-GE3 - MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

Hersteller Teilenummer

SIA850DJ-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SIA850DJ-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SIA850DJ-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIA850DJ-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

Serie : LITTLE FOOT®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 190V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 950mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 90pF @ 100V

FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.) : 1.9W (Ta), 7W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SIA850DJ-T1-GE3

Datenblätter : SIA850DJ-T1-GE3.pdf

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