SISS02DN-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SISS02DN-T1-GE3
Artikelnummer : SISS02DN-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-
Serie : TrenchFET® Gen IV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 51A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 83nC @ 10V
Vgs (Max) : +16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4450pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8S
Paket / fall : PowerPAK® 1212-8S
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
649780 Stücke
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