SISS02DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SISS02DN-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SISS02DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
51A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
83nC @ 10V
Vgs (Max) :
+16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4450pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8S
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8S
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SISS02DN-T1-GE3
Datenblätter :
SISS02DN-T1-GE3.pdf
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