SIZF906ADT-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SIZF906ADT-T1-GE3
Artikelnummer : SIZF906ADT-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET DUAL N-CHAN 30V
Serie : TrenchFET® Gen IV
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Leistung max : 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : 8-PowerPair® (6x5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET DUAL N-CHAN 30V
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
612115 Stücke
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