SIZF906ADT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 30V

Hersteller Teilenummer

SIZF906ADT-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SIZF906ADT-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET DUAL N-CHAN 30V

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

612115 Pieces

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Technische Daten für SIZF906ADT-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIZF906ADT-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET DUAL N-CHAN 30V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V, 200nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

Leistung max : 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Supplier Device Package : 8-PowerPair® (6x5)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIZF9 , SIZF906A

Dokumente für SIZF906ADT-T1-GE3

Datenblätter : SIZF906ADT-T1-GE3.pdf

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