TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Datenblatt
Technische Daten für TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Artikelnummer : TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
Serie : U-MOSVI
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (Max) : +10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 27W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK+
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1012130 Stücke
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