TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Hersteller Teilenummer

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Interne Teilenummer

AX-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

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1012130 Pieces

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Technische Daten für TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Serie : U-MOSVI

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V

Vgs (Max) : +10V, -20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 27W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK+

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Datenblätter : TJ8S06M3L(T6L1,NQ).pdf

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