TPC8018-H(TE12LQM) Datenblatt
Technische Daten für TPC8018-H(TE12LQM)
Artikelnummer : TPC8018-H(TE12LQM)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2265pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOP (5.5x6.0)
Paket / fall : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6856 Stücke
Referenzpreis
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