TPC8018-H(TE12LQM) - MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Hersteller Teilenummer

TPC8018-H(TE12LQM)

Interne Teilenummer

AX-TPC8018-H(TE12LQM)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für TPC8018-H(TE12LQM)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPC8018-H(TE12LQM)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2265pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOP (5.5x6.0)

Paket / fall : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TPC8018-H(TE12LQM)

Datenblätter : TPC8018-H(TE12LQM).pdf

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