TPN22006NH,LQ Datenblatt
Technische Daten für TPN22006NH,LQ
Artikelnummer : TPN22006NH,LQ
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Serie : U-MOSVIII-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta), 18W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1465850 Stücke
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