TPN22006NH,LQ - MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1465850 Pieces
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Technische Daten für TPN22006NH,LQ
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TPN22006NH,LQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Serie :
U-MOSVIII-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta), 18W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TPN22006NH,LQ
Datenblätter :
TPN22006NH,LQ.pdf
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