TPN4R712MD,L1Q Datenblatt
Technische Daten für TPN4R712MD,L1Q
Artikelnummer : TPN4R712MD,L1Q
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
Serie : U-MOSVI
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4300pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 42W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1712845 Stücke
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