TPN4R712MD,L1Q - MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

Hersteller Teilenummer

TPN4R712MD,L1Q

Interne Teilenummer

AX-TPN4R712MD,L1Q

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1712845 Pieces

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Technische Daten für TPN4R712MD,L1Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPN4R712MD,L1Q

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

Serie : U-MOSVI

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4300pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 42W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TPN4R712MD,L1Q

Datenblätter : TPN4R712MD,L1Q.pdf

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