BSO615CGHUMA1 - MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
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Technische Daten für BSO615CGHUMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSO615CGHUMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.1A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 25V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : PG-DSO-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSO615CGHUMA1
Datenblätter : BSO615CGHUMA1.pdf
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