PHD21N06LT,118 - MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
53190 Pieces
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Technische Daten für PHD21N06LT,118
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
PHD21N06LT,118
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.4nC @ 5V
Vgs (Max) :
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
650pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
56W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für PHD21N06LT,118
Datenblätter :
PHD21N06LT,118.pdf
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